常州氮化钛加工

目前，国内外制备氮化钛涂层一般采用镀膜工艺，传统制备tin涂层方法为物物理相沉积(pvd)和化学气相沉积(cvd)工艺。这些方法制备氮化钛涂层纯度高、致密性好。但其沉积效率低，涂层厚度过薄(适合几个μm)，严重限制了氮化钛涂层在磨、蚀服役条件下的应用。为满足不断提高的氮化钛工业需求，高沉积效率的等离子喷涂工艺被用于氮化钛涂层的制备。采用大气反应等离子喷涂制备的tin涂层，厚度超过了500μm，但涂层疏松多孔，且含有杂质ti3o，一定程度上降低了tin涂层硬度。随着等离子喷涂技术不断发展，采用低压反应等离子喷涂技术(f4-vb)制备了氮化钛涂层，涂层呈致密层状结构，厚度能够达到70μm左右，但是其涂层物相组成为tin0.3、ti2n和tin相，涂层中存在未被氮化的钛颗粒，涂层氮化率适合为25％左右，影响tin涂层的硬度及耐磨性。因此，如何提高低压等离子喷涂制备氮化钛涂层中的涂层氮化率是亟需解决的问题。氮化钛是用于优良度的金属陶瓷工具、喷汽推进器、以及火箭等优良的结构材料。另氮化钛可作为高温润滑剂。常州氮化钛加工

1.氮化钛是一种新型的多功能金属陶瓷材料它的熔点高，硬度大、摩擦系数小是热和电的良导体。首先氮化钛是用于较为度的金属陶瓷工具、喷汽推进器、以及火箭等优良的结构材料。另外氮化钛有较低的摩擦系数可作为高温润滑剂。氮化钛合金用作轴承和密封环可显示出优异的效果。氮化钛有较高的导电性可用作熔盐电解的电极以及点触头、薄膜电阻等材料氮化钛有较高的超导临界温度是优良的超导材料。尤其引人注目的是氮化钛涂层及其烧结体具有令人满意的金黄色，作为代金装饰材料具有很好的仿金效果、装饰价值并具有防腐、延长工艺品的寿命。目前由于含氨金属陶瓷工具的开发，而使氨化钛粉末的需要急剧增加起来而且国际上代金装饰技术发展相当快氮化钛在这方面的应用具有十分广阔的前景。常州氮化钛加工氮化钛具有良好导电性、高熔点、高硬度及耐磨耐酸碱腐蚀等特性，在开发高耐用的催化剂载体领域具应用前景。

TiN和TiAlN涂层常应用于精冲模,采用XRD技术分析了不同厚度TiN和TiAlN涂层的相变化,并采用Sin2ψ法测量了TiN涂层和基体以及TiAlN基体的残留应力,应用显微硬度计测量了涂层的显微硬度。结果表明:TiN涂层(111)和(222)晶面存在明显择优取向,涂层残留应力分布在-2347～-1920MPa,基体残留应力分布在-154.9～-69.21MPa,均随厚度增加而减小;TiAlN涂层主要相成分为Ti3Al3N2,且(107)晶面存在择优取向,基体残留应力分布在-123.7～469.5MPa,主要呈拉应力状态,且随厚度增加而增大,对模具寿命有较大影响;TiN和TiAlN涂层显微硬度随厚度增加而增大。

40、氮化钛(TiN)薄膜独特的性能不仅在机械工业和商品的表面装饰行业上有着适合的应用,而且在临床制品及人工替换领域也展示了潜在的应用前景.研究利用大功率偏压电源的多弧离子镀技术,采用工具镀工艺,在Ti-6Al-4V合金材料表面制备了TiN薄膜.用X射线光电子能谱检测证明了所制备的薄膜确为TiN机械性能测试表明:具有TiN涂层样品的显微硬度较为高于Ti合金基材,同时耐磨性能也明显得到改善。40、氮化钛是一种新型多功能材料，具有高硬度、高耐磨性以及高抗氧化性等优点，可以作为耐磨涂层使用，同时氮化钛涂层的颜色与黄金极为相似，可以沉积在首饰或灯具表面用作装饰涂层，有着适合的应用。在上世纪70年代，氮化钛涂层成功应用于刀具等切割加工工具上，促进了刀具加工行业的发展。刀具涂层的常用制备方法为物物理相沉积法(PVD)和化学气相沉积法(CVD)两大类，也是氮化钛涂层的常用制备方法，具体细分又有许多种。究纯钛铸件表面镀制氮化钛薄膜后在氟环境中的耐腐蚀性。实验组较对照组的表面侵蚀明显减轻。

50.用TiN薄膜涂覆在IF—MS2上。可以提高二钼化硫润滑剂的耐磨性。用TIN薄膜涂覆在IF—MS2上，因为它具有的高硬度、高熔点、高磨损抵抗力，优良的化学稳定性等特点，因此可以在提高飞机和航天器的发动机等零件的润滑性能的同时，又可以保证航天零件的耐高温和耐摩擦性能。TiN薄膜用于高温大气稳定太阳能吸收层的研究开始于1984年，较为近(Ti，A1)N涂层也被建议应用于太阳能选择吸收层和太阳能控制窗口，这主要是因为(Ti，AI)N涂层耐高温的特点。关于TiN和TiA1N涂层在太阳能领域的应用。TiN熔点比大多数过渡金属氮化物的熔点高，而密度却比大多数金属氮化物低。常州氮化钛加工

19. 氮化钛(TiN)具有典型的NaCl型结构，属面心立方点阵，晶格常数a=0.4241nm。常州氮化钛加工

在深亚微米(0.15μm及以下)集成电路制造中，后段工艺日趋重要，为降低阻容迟滞(RCDelay)，保证信号传输，减小功耗，有必要对后段工艺进行改进，Via阻挡层MOCVD(Metal-organicChemicalVaporDeposition，金属有机物化学气相淀积)TiN是其中重要研究课题之一。本论文基于薄膜电阻的理论分析，从厚度、杂质浓度和晶体结构三大薄膜电阻影响因素出发系统研究MOCVDTiN材料在平面薄膜上和真实结构中的各种性质，重点是等离子体处理(PlasmaTreatment，PT)下的晶体生长，制备循环次数的选择对薄膜杂质浓度、晶体结构及电阻性能的影响，不同工艺薄膜在真实结构中物理形貌、晶体结构和电阻性能的表现和规律，超薄TiN薄膜(＜5nm)的实际应用等。俄歇能谱、透射电子显微镜和方块电阻测试证明PT作用下杂质浓度降低，同时晶体生长，薄膜致密化而电阻率降低。PT具有饱和时间和深度，较厚薄膜需多循环制备以充分处理，发现薄膜厚度较小时(本实验条件下为4nm)，增加循环次数虽然进一步降低了杂质浓度，但会引入界面而使薄膜电阻率增加。通过TEM观测发现由于等离子体运动的各向异性，真实结构中PT效率在侧壁远低于顶部和底部，这导致侧壁薄膜在PT后更厚。常州氮化钛加工