关于氧化石墨膜
GO作为新型的二维结构的纳米材料,具有疏水性中间片层与亲水性边缘结构,特殊的结构决定其优异的***特性。GO的***活性主要有以下几种机制:(1)机械破坏,包括物理穿刺或者切割;(2)氧化应激引发的细菌/膜物质破坏;(3)包覆导致的跨膜运输阻滞和(或)细菌生长阻遏;(4)磷脂分子抽提理论。GO作用于细菌膜表面的杀菌机制中,主要是GO与起始分子反应(Molecular Initiating Events,MIEs)[51]的作用(图7.3),包括GO表面活性引发的磷脂过氧化,GO片层结构对细菌膜的嵌入、包裹以及磷脂分子的提取,GO表面催化引发的活性自由基等。另外,GO的尺寸在上述不同的***机制中对***的影响也是不同的,机械破坏和磷脂分子抽提理论表明尺寸越大的GO, 能表现出更好的***能力,而氧化应激理论则认为GO 尺寸越小,其***效果越好。石墨烯具有很好的电学性质,但氧化石墨本身却是绝缘体(或是半导体)。关于氧化石墨膜
由于较低的毒性和良好的生物相容性,石墨烯材料在细胞成像方面**了一股研究热潮。石墨烯及其衍生物本身具有特殊的平面结构和光学性质,或者经过荧光染料分子标记之后,可用于体外细胞与***光学成像[63-66],使其在**显像和***方面具有很大的应用前景。Dai 课题组[67]***利用纳米尺寸的聚乙二醇功能化氧化石墨烯(GO-PEG)的近红外发光性质用于细胞成像。他们将抗体利妥昔单抗(anti-CD20)与纳米GO-PEG 共价结合形成纳米GO-PEG-anti-CD20,然后将纳米GO-PEG和纳米GO-PEG-anti-CD20与B细胞或T细胞在培养液中4℃培养1h,培养液中纳米GO-PEG的浓度大约为0.7mg/ml,结果发现B细胞淋巴瘤具有强荧光,而T淋巴母细胞的荧光强度则很弱。另外,通过对GO进行80℃热处理17天后,再利用200W的超声对GO溶液处理2h,得到的GO在紫外光 (266–340 nm)的照射下显示出蓝色荧光。河北无污染氧化石墨氧化石墨仍然保留石墨母体的片状结构,但是两层间的间距(约0.7nm)大约是石墨中层间距的两倍。
GO在生理学环境下容易发生聚**影响其负载药物的能力,因此需要对GO进行功能化修饰来解决其容易团聚的问题。目前功能化修饰主要有以下几种:(1)共价键修饰,由于GO表面丰富的含氧官能团(羟基、羧基、环氧基),可与多种亲水性大分子通过酯键、酰胺键等共价键连接完成功能化,改善其稳定性、生物相容性等。常见的大分子有聚乙二醇(PEG)、聚赖氨酸、聚丙烯(PAA)和聚醚酰亚胺(PEI)等;(2)非共价键修饰[22-24],GO片层内碳原子共同形成一个大的π 键,能够通过非共价π-π作用与芳香类化合物相互结合,不同种类的生物分子也可以通过氢键作用、范德华力和疏水作用等非共价作用力与GO结构中的SP2杂化部分结合完成功能化修饰。
石墨烯是一种在光子和光电子领域十分有吸引力的材料,与别的材料相比有很多优点[1]。作为一种零带隙材料,石墨烯的光响应谱覆盖了从紫外到THz范围;同时,石墨烯在室温下就有着惊人的电子输运速度,这使得光子或者等离子体转换为电流或电压的速度极快;石墨烯的低耗散率以及可以把电磁场能量限定在一定区域内的性质,带来了很强的光与石墨烯相互作用。虽然还原氧化石墨烯(RGO)缺少本征石墨烯中观测到的电子输运效应以及其它一些凝聚态物质效应,但其易于规模化制备、性质可调等优异特性,使其在传感检测领域展现出极大的应用前景。同时具有良好的生物相容性,超薄的GO纳米片很容易组装成纸片或直接在基材上进行加工。
GO膜在水处理中的分离机理尚存在诸多争议。一种观点认为通过尺寸筛分以及带电的目标分离物与纳米孔之间的静电排斥机理实现分离,如图8.3所示。氧化石墨烯膜的分离通道主要由两部分构成:1)氧化石墨烯分离膜中不规则褶皱结构形成的半圆柱孔道;2)氧化石墨烯分离膜片层之间的空隙。除此之外,由氧化石墨烯结构缺陷引起的纳米孔道对于水分子的传输提供了额外的通道19-22。Mi等23研究认为干态下通过真空过滤制备的氧化石墨烯片层间隙的距离约为0.3 nm。扫描隧道显微镜照片表明,在氧化石墨中氧原子排列为矩形。官能化氧化石墨生产企业
氧化石墨烯(GO)的厚度只有几纳米,具有两亲性。关于氧化石墨膜
石墨烯可与多种传统半导体材料形成异质结,如硅[64][65][66],锗[67],氧化锌[68],硫化镉[69]、二硫化钼[70]等。其中,石墨烯/硅异质结器件是目前研究**为***、光电转换效率比较高(AM1.5)的一类光电器件。基于硅-石墨烯异质结光电探测器(SGPD),获得了极高的光伏响应[71]。相比于光电流响应,它不会因产生焦耳热而产生损耗。基于化学气象沉积法(CVD)生长的石墨烯光电探测器有很多其独特的优点。首先有极高的光伏响应,其次有极小的等效噪声功率可以探测极微弱的信号,常见的硅-石墨烯异质结光电探测器结构如图9.8所示。关于氧化石墨膜
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